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Recommandation fabricant

RJK1054DPB-00#J5
Renesas Electronics Corporation
En stock: 3’693
Prix unitaire : Fr. 2.59000
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En stock: 363
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Nexperia USA Inc.
En stock: 24’428
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Nexperia USA Inc.
En stock: 12’021
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STL30N10F7
STMicroelectronics
En stock: 5’211
Prix unitaire : Fr. 1.40000
Fiche technique
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5-LFPAK, SC-100
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HAT2175H-EL-E

Numéro de produit DigiKey
HAT2175H-EL-E-ND - Bande et bobine
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
HAT2175H-EL-E
Description
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 15 A (Ta) 15W (Tc) Montage en surface LFPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
HAT2175H-EL-E Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
15 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
42mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1445 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
15W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
LFPAK
Boîtier
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
HAT2175
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Date de dernière disponibilité : 31/03/2026