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TO-252-3
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NP52N055SUG-E1-AY

Numéro de produit DigiKey
NP52N055SUG-E1-AY-ND - Bande et bobine
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
NP52N055SUG-E1-AY
Description
MOSFET N-CH 55V 52A TO252
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 52 A (Tc) 1,2W (Ta), 56W (Tc) Montage en surface TO-252 (MP-3ZK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NP52N055SUG-E1-AY Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
52 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
14mohms à 26A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3200 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,2W (Ta), 56W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252 (MP-3ZK)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
NP52N055
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