NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Produits semi-conducteurs discrets

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NP88N03KDG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP88N03KDG-E1-AY
Description	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 88 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NP88N03KDG-E1-AY Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	88 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,4mohms à 44A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB