8-PowerWDFN
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RJK2057DPA-00#J0

Numéro de produit DigiKey
RJK2057DPA-00#J0-ND - Bande et bobine
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
RJK2057DPA-00#J0
Description
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 20 A (Ta) 30W (Tc) Montage en surface 8-WPAK (3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RJK2057DPA-00#J0 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
85mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1250 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-WPAK (3)
Boîtier
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
RJK2057
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Date de dernière disponibilité : 31/03/2026