Name: TP65H070LDG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070LDG-TR-ND
Price: 12.49636 CHF
Availability: InStock

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TP65H070LDG-TR
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H070LDG-TR-ND - Bande et bobine 1707-TP65H070LDG-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1707-TP65H070LDG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP65H070LDG-TR
Description	650 V 25 A GAN FET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 25 A (Tc) 96W (Tc) Montage en surface 3-PQFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	TP65H070L
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,8V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	96W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	3-PQFN (8x8)
Boîtier	3-PowerDFN