Name: TP65H150G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4PS-ND
Price: 4.12942 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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TP65H150G4PS
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H150G4PS-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP65H150G4PS
Description	GAN FET N-CH 650V TO-220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 8,5A, 10V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) à Id 4,8V à 500µA
Série SuperGaN®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 598 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3

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Ressources supplémentaires

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.82000	Fr. 3.82
50	Fr. 1.96580	Fr. 98.29
100	Fr. 1.78690	Fr. 178.69
500	Fr. 1.47344	Fr. 736.72
1’000	Fr. 1.37282	Fr. 1’372.82
2’000	Fr. 1.28824	Fr. 2’576.48
5’000	Fr. 1.26588	Fr. 6’329.40

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.