Name: TP65H480G4JSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H480G4JSG-ND
Price: 1.19991 CHF
Availability: OutOfStock

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TP65H480G4JSG
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H480G4JSG-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP65H480G4JSG
Description	MOSFET 650V, 480mOhm
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) Montage en surface 3-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	SuperGaN®
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V
Rds On (max.) à Id, Vgs	560mohms à 3,4A, 8V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	760 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	13,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	3-PQFN (5x6)
Boîtier	3-PowerTDFN

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