Name: TP65H480G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H480G4JSGB-TR-ND
Price: 1.8377 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TP65H480G4JSGB-TR
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H480G4JSGB-TR-ND - Bande et bobine 1707-TP65H480G4JSGB-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1707-TP65H480G4JSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP65H480G4JSGB-TR
Description	GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 560mohms à 3A, 6V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 500µA
Série SuperGaN®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 414 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 13,2W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,6 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V	Boîtier 8-PowerTDFN