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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TPD3215M | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TPD3215M-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TPD3215M |
Description | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 600V 70 A (Tc) 470W Trou traversant Module |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Renesas Electronics Corporation | |
Série | - | |
Conditionnement | En vrac | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | GaNFET (nitrure de gallium) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 600V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 70 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 34mohms à 30A, 8V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 28nC à 8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2260pF à 100V | |
Puissance - Max. | 470W | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | Module | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
Suisse