TPH3208PD Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET simples

TPH3208PD est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 1’496

Prix unitaire : Fr. 4.06000

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TPH3208PD
Numéro de produit DigiKey	TPH3208PD-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TPH3208PD
Description	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 300µA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC @ 8 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±18V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 760 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 96W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 130mohms à 13A, 8V