BS2101F-E2 Rohm Semiconductor | Circuits d'attaque de grille

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BS2101F-E2
Numéro de produit DigiKey	BS2101F-E2TR-ND - Bande et bobine BS2101F-E2CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BS2101F-E2
Description	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BS2101F-E2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille	Tension logique - VIL, VIH 1V, 2,6V
Fabricant Rohm Semiconductor	Courant - Sortie de crête (source, absorption) 60 mA, 130 mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Type d'entrée Sans inversion
Statut du composant Obsolète	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 600 V
Programmable DigiKey Non vérifié	Temps de montée / descente (typ.) 60ns, 20ns
Configuration Haut potentiel, bas potentiel	Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Type de canal Synchrone	Type de montage Montage en surface
Nombre de circuits d'attaque 2	Boîtier 8-SOIC (0,173po, 4,40mm de largeur)
Type de grille IGBT, MOSFET (canal N)	Boîtier fournisseur 8-SOP
Tension - Alimentation 10V ~ 18V	Numéro de produit de base BS2101

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.17000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.26477

BS2101F-E2