Name: BSM080D12P2C008
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM080D12P2C008-ND
Price: 275.64419 CHF
Availability: OutOfStock

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BSM080D12P2C008
Numéro de produit DigiKey	BSM080D12P2C008-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM080D12P2C008
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 80 A (Tc) 600W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSM080D12P2C008 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 13,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800pF à 10V
Puissance - Max.	600W
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	BSM080

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 254.99000	Fr. 254.99

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.