BSM180D12P2E002
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BSM180D12P2E002

BSM180D12P2E002

Numéro de produit DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
BSM180D12P2E002
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
204 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 35,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
18000pF à 10V
Puissance - Max.
1360W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
BSM180
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