Name: BSM450D12P4G102
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM450D12P4G102-ND
Price: 497.94103 CHF
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSM450D12P4G102
Numéro de produit DigiKey	846-BSM450D12P4G102-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM450D12P4G102
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 447A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 447A (Tc) 1,45kW (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Boîte
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	447A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	4,8V à 218,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	44000pF à 10V
Puissance - Max.	1,45kW (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	BSM450