Name: BSM600C12P3G201
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM600C12P3G201-ND
Price: 1037.76 CHF
Availability: OutOfStock

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BSM600C12P3G201
Numéro de produit DigiKey	BSM600C12P3G201-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM600C12P3G201
Description	SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 600 A (Tc) 2460W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSM600C12P3G201 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	600 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 182mA
Vgs (max.)	+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	28000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2460W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	Module
Boîtier	Module
Numéro de produit de base	BSM600

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Disponible sur commande

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
4	Fr. 960.00000	Fr. 3’840.00

Conditionnement standard du fabricant

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