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ES6U3T2CR est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ES6U3T2CR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 846-ES6U3T2CRTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES6U3T2CR |
Description | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 1,4 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface 6-WEMT |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | ES6U3T2CR Modèles |
Attributs du produit
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Category | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.4 nC @ 5 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 70 pF @ 10 V |
Type de FET | Fonction FET Diode Schottky (isolée) |
Technologies | Dissipation de puissance (max.) 800mW (Ta) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V | Boîtier fournisseur 6-WEMT |
Rds On (max.) à Id, Vgs 240mohms à 1,4A, 10V | Boîtier |
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Ressources supplémentaires
Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| US5U2TR | Rohm Semiconductor | 0 | US5U2TR-ND | Fr. 0.19576 | Similaire |
Obsolète
Non annulable/Non remboursable
