Name: HT8KE5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KE5TB1TR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

HT8KE5TB1
Numéro de produit DigiKey	846-HT8KE5TB1TR-ND - Bande et bobine 846-HT8KE5TB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-HT8KE5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HT8KE5TB1
Description	MOSFET 2N-CH 100V 2.5A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 2,5A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2,9nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 90pF à 50V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2W (Ta), 13W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,5A (Ta), 7A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Rds On (max.) à Id, Vgs 193mohms à 2,5A, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2’970

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.30000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.40530

HT8KE5TB1