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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
QS8J12TCR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | QS8J12TCR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | QS8J12TCR |
Description | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 12V 4,5A 550mW Montage en surface TSMT8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Rohm Semiconductor | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Pas pour les nouvelles conceptions | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique, attaque 1,5V | |
Tension drain-source (Vdss) | 12V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4,5A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 29mohms à 4,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 40nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4200pF à 6V | |
Puissance - Max. | 550mW | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SMD, broches plates | |
Boîtier fournisseur | TSMT8 | |
Numéro de produit de base |
Disponible sur commande
cms-non-stock-description
Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.27009 | Fr. 810.27 |
| 6’000 | Fr. 0.25039 | Fr. 1’502.34 |
| 9’000 | Fr. 0.24035 | Fr. 2’163.15 |
| 15’000 | Fr. 0.23565 | Fr. 3’534.75 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.27009 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.29197 |
