Name: QS8M31TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M31TR-ND
Price: 1.10262 CHF
Availability: InStock

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QS8M31TR
Numéro de produit DigiKey	QS8M31TR-ND - Bande et bobine QS8M31CT-ND - Bande coupée (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS8M31TR
Description	MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA, 3V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4nC à 5V, 7,2nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 270pF à 10V, 750pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,1W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier 8-SMD, broches plates
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Ta), 2A (Ta)	Boîtier fournisseur TSMT8
Rds On (max.) à Id, Vgs 112mohms à 3A, 10V, 210mohms à 2A, 10V	Numéro de produit de base QS8M31

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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