Name: QS8M51TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M51TR-ND
Price: 1.70798 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

QS8M51TR
Numéro de produit DigiKey	QS8M51TR-ND - Bande et bobine QS8M51CT-ND - Bande coupée (CT) QS8M51DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS8M51TR
Description	MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 2A, 1,5A 1,5W Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	QS8M51TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2A, 1,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	325mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4,7nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	290pF à 25V, 950pF à 25V
Puissance - Max.	1,5W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	TSMT8
Numéro de produit de base	QS8M51