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R8008ANJFRGTL
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R6008FNJTL

Numéro de produit DigiKey
846-R6008FNJTLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
R6008FNJTL
Description
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 8 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6008FNJTL Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
950mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
580 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
LPTS
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
R6008
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Disponible sur commande
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Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1’000Fr. 1.42814Fr. 1’428.14
2’000Fr. 1.42600Fr. 2’852.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.42814
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.54382