



R6009ENX | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | R6009ENX-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | R6009ENX |
Description | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | R6009ENX Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V |
Conditionnement En vrac | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 430 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220FM |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 535mohms à 2,8A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCPF600N60Z | onsemi | 624 | FCPF600N60Z-ND | Fr. 2.52000 | Similaire |
| SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 1’613 | 448-SPA11N80C3XKSA1-ND | Fr. 3.17000 | Similaire |
| STF11N60DM2 | STMicroelectronics | 1’322 | 497-16960-ND | Fr. 1.83000 | Similaire |
| STP11NM60FDFP | STMicroelectronics | 120 | 497-5392-5-ND | Fr. 5.32000 | Similaire |
| TK8A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 34 | TK8A60WS4VX-ND | Fr. 2.35000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.52000 | Fr. 3.52 |
| 10 | Fr. 2.32400 | Fr. 23.24 |
| 100 | Fr. 1.64560 | Fr. 164.56 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.52000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.80512 |

