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R6020KNZ1C9 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
R6020KNZ1C9 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | R6020KNZ1C9-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | R6020KNZ1C9 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20 A (Tc) 231W (Tc) Trou traversant TO-247 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | R6020KNZ1C9 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1550 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 231W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 196mohms à 9,5A, 10V |
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Substituts (13)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| R6020KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 402 | 846-R6020KNZ4C13-ND | Fr. 6.68000 | Direct |
| R6020KNZC17 | Rohm Semiconductor | 17 | 846-R6020KNZC17-ND | Fr. 5.09000 | Similaire |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | Fr. 5.82000 | Direct |
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1’419 | IPW60R190C6FKSA1-ND | Fr. 3.75000 | Similaire |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | Fr. 12.41000 | Similaire |
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