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R6076MNZ1C9 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
R6076MNZ1C9 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | R6076MNZ1C9-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | R6076MNZ1C9 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Trou traversant TO-247 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | R6076MNZ1C9 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 115 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7000 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 740W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 55mohms à 38A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| R6070JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 484 | 846-R6070JNZ4C13-ND | Fr. 14.82000 | Similaire |
| RBR3LAM30ATR | Rohm Semiconductor | 1’044 | RBR3LAM30ACT-ND | Fr. 0.52000 | Similaire |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5’072 | 238-IXFH60N65X2-ND | Fr. 10.78000 | Similaire |
| IXFX80N60P3 | IXYS | 188 | IXFX80N60P3-ND | Fr. 16.91000 | Similaire |
| SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 61 | SIHG47N60E-GE3-ND | Fr. 8.71000 | Similaire |
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