Name: RCX080N25
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RCX080N25-ND
Price: 1.58907 CHF
Availability: InStock

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RCX080N25
Numéro de produit DigiKey	RCX080N25-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RCX080N25
Description	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RCX080N25 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	600mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	840 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,23W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220FM
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	RCX080

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