Name: RD3G03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G03BATTL1TR-ND
Price: 1.84851 CHF
Availability: InStock

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RD3G03BATTL1
Numéro de produit DigiKey	846-RD3G03BATTL1TR-ND - Bande et bobine 846-RD3G03BATTL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RD3G03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3G03BATTL1
Description	PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 35 A (Tc) 56W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RD3G03BATTL1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2100 pF @ 20 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 56W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,1mohms à 35A, 10V	Numéro de produit de base RD3G03