Name: RD3S100CNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3S100CNTL1TR-ND
Price: 2.20524 CHF
Availability: InStock

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RD3S100CNTL1
Numéro de produit DigiKey	RD3S100CNTL1TR-ND - Bande et bobine RD3S100CNTL1CT-ND - Bande coupée (CT) RD3S100CNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3S100CNTL1
Description	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 190 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RD3S100CNTL1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	190 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	182mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	85W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	RD3S100