Name: RJ1P10BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BATTL1TR-ND
Price: 5.32933 CHF
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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RJ1P10BATTL1
Numéro de produit DigiKey	846-RJ1P10BATTL1TR-ND - Bande et bobine 846-RJ1P10BATTL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RJ1P10BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RJ1P10BATTL1
Description	PCH -100V -105A, TO-263AB, POWER
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 105 A (Tc) 201W (Tc) Montage en surface TO-263AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 385 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 16600 pF @ 50 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 201W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 105 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,9mohms à 50A, 10V