



RQ3E100BNTB | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RQ3E100BNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E100BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RQ3E100BNTB |
Description | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RQ3E100BNTB Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 10,4mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1100 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-HSMT (3,2x3) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.53000 | Fr. 0.53 |
| 10 | Fr. 0.32700 | Fr. 3.27 |
| 100 | Fr. 0.20950 | Fr. 20.95 |
| 500 | Fr. 0.15894 | Fr. 79.47 |
| 1’000 | Fr. 0.14262 | Fr. 142.62 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.12186 | Fr. 365.58 |
| 6’000 | Fr. 0.11140 | Fr. 668.40 |
| 9’000 | Fr. 0.10607 | Fr. 954.63 |
| 15’000 | Fr. 0.10008 | Fr. 1’501.20 |
| 21’000 | Fr. 0.09653 | Fr. 2’027.13 |
| 30’000 | Fr. 0.09309 | Fr. 2’792.70 |
| 75’000 | Fr. 0.09039 | Fr. 6’779.25 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.53000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.57293 |

