Name: RQ3E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180BNTBTR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: InStock

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RQ3E180BNTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3E180BNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E180BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3E180BNTB
Description	MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3E180BNTB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3500 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 20W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 39 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 18A, 10V	Numéro de produit de base RQ3E180

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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En stock: 4’948

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3’000	Fr. 0.21474	Fr. 644.22

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.90000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.97290

RQ3E180BNTB