Name: RQ3L050GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3L050GNTBTR-ND
Price: 1.09181 CHF
Availability: InStock

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RQ3L050GNTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3L050GNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3L050GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3L050GNTB
Description	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 12 A (Tc) 14,8W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3L050GNTB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 25µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2.8 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 300 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 14,8W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 61mohms à 5A, 10V	Numéro de produit de base RQ3L050

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN6069SFG-13	Diodes Incorporated	0	DMN6069SFG-13-ND	Fr. 0.21090	Similaire
PJQ4460AP_R2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJQ4460AP_R2_00001TR-ND	Fr. 0.10724	Similaire

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Quantité

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Bande et bobine