Name: RQ6G050ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ6G050ATTCRTR-ND
Price: 1.10262 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RQ6G050ATTCR
Numéro de produit DigiKey	846-RQ6G050ATTCRTR-ND - Bande et bobine 846-RQ6G050ATTCRCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RQ6G050ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ6G050ATTCR
Description	PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 5 A (Ta) 950mW (Ta) Montage en surface TSMT6 (SC-95)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ6G050ATTCR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	950mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	RQ6G050