Name: RS1E170GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1E170GNTR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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RS1E170GNTB
Numéro de produit DigiKey	846-RS1E170GNTR-ND - Bande et bobine 846-RS1E170GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS1E170GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1E170GNTB
Description	MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 17 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS1E170GNTB Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 720 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 23W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,7mohms à 17A, 10V	Numéro de produit de base RS1E

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RS1E170GNTB	Rohm Semiconductor	1’533	846-RS1E170GNTBCT-ND	Fr. 0.83000	Équivalent paramétrique

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.83000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.89723

RS1E170GNTB