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Direct


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

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Infineon Technologies
En stock: 22’296
Prix unitaire : Fr. 1.11000
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En stock: 7’905
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En stock: 4’884
Prix unitaire : Fr. 0.92000
Fiche technique
Canal N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RS1E200BNTB

Numéro de produit DigiKey
RS1E200BNTBTR-ND - Bande et bobine
RS1E200BNTBCT-ND - Bande coupée (CT)
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
RS1E200BNTB
Description
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RS1E200BNTB Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,9mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3100 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-HSOP
Boîtier
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2’500Fr. 0.24905Fr. 622.62
5’000Fr. 0.23000Fr. 1’150.00
7’500Fr. 0.22029Fr. 1’652.18
12’500Fr. 0.20938Fr. 2’617.25
17’500Fr. 0.20829Fr. 3’645.08
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.24905
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.26922