Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1.11343 CHF
Availability: InStock

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RS1E200GNTB
Numéro de produit DigiKey	RS1E200GNTBTR-ND - Bande et bobine RS1E200GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1E200GNTB
Description	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS1E200GNTB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16.8 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1080 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A (Ta), 57A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,6mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base RS1E

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSC042N03LSGATMA1	Infineon Technologies	22’296	BSC042N03LSGATMA1CT-ND	Fr. 1.51000	Similaire

En stock: 2’252

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.03000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.11343

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