Name: RS6L090BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L090BGTB1TR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RS6L090BGTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RS6L090BGTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS6L090BGTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS6L090BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS6L090BGTB1
Description	NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 90 A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS6L090BGTB1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1950 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 73W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,7mohms à 90A, 10V