Name: RS7N200BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7N200BHTB1TR-ND
Price: 4.65911 CHF
Availability: InStock

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RS7N200BHTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RS7N200BHTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS7N200BHTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS7N200BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS7N200BHTB1
Description	NCH 80V 230A, DFN5060-8S, POWER
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 230A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) Montage en surface DFN5060-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 92 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6550 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 230A (Ta)	Boîtier fournisseur DFN5060-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2mohms à 50A, 10V