Name: RV7E040AJTCR1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV7E040AJTCR1TR-ND
Price: 0.69184 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RV7E040AJTCR1
Numéro de produit DigiKey	846-RV7E040AJTCR1TR-ND - Bande et bobine 846-RV7E040AJTCR1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RV7E040AJTCR1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RV7E040AJTCR1
Description	NCH 30V 4A MIDDLE POWER MOSFET :
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 4 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface DFN1212-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	45mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	450 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN1212-3
Boîtier	3-XDFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 2’759

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine