Name: RV8C010UNHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND
Price: 0.77832 CHF
Availability: InStock

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RV8C010UNHZGG2CR
Numéro de produit DigiKey	846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND - Bande et bobine 846-RV8C010UNHZGG2CRCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RV8C010UNHZGG2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RV8C010UNHZGG2CR
Description	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 1 A (Ta) 1W Montage en surface DFN1010-3W
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs (max.) ±8V
Fabricant Rohm Semiconductor	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 40 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 1W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1 A (Ta)	Boîtier fournisseur DFN1010-3W
Rds On (max.) à Id, Vgs 470mohms à 500mA, 4,5V	Boîtier 3-XFDFN
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA	Numéro de produit de base RV8C010

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