Diode 650 V 2,15A Trou traversant TO-220ACP
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Diode 650 V 2,15A Trou traversant TO-220ACP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS302AHGC9

Numéro de produit DigiKey
SCS302AHGC9-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
SCS302AHGC9
Description
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 2,15A Trou traversant TO-220ACP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
2,15A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.5 V @ 2 A
Vitesse
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10.8 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
110pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
TO-220ACP
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (maxi)
Numéro de produit de base
SCS302
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 2.33000Fr. 2.33
50Fr. 1.16080Fr. 58.04
100Fr. 1.04650Fr. 104.65
500Fr. 0.84612Fr. 423.06
1’000Fr. 0.78176Fr. 781.76
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 2.33000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 2.51873