SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | FET, MOSFET simples

SCT2H12NYTB est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Rohm Semiconductor

En stock: 607

Prix unitaire : Fr. 4.65000

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SCT2H12NYTB
Numéro de produit DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Bande et bobine SCT2H12NYTBCT-ND - Bande coupée (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT2H12NYTB
Description	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Montage en surface TO-268
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT2H12NYTB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 410µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -6V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 184 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 44W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-268
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 1,1A, 18V	Numéro de produit de base SCT2H12