SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Produits semi-conducteurs discrets

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SCT2H12NYTB
Numéro de produit DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Bande et bobine SCT2H12NYTBCT-ND - Bande coupée (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT2H12NYTB
Description	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Montage en surface TO-268
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT2H12NYTB Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5ohms à 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 410µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	184 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	44W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-268
Boîtier	TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Numéro de produit de base	SCT2H12