Name: SCT3105KW7TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT3105KW7TLTR-ND
Price: 9.38308 CHF
Availability: InStock

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SCT3105KW7TL
Numéro de produit DigiKey	846-SCT3105KW7TLTR-ND - Bande et bobine 846-SCT3105KW7TLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-SCT3105KW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3105KW7TL
Description	SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 23 A (Tc) 125W Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	137mohms à 7,6A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 3,81mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	574 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	SCT3105