Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 8.9723 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Trou traversant TO-247N

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SCT3120ALGC11
Numéro de produit DigiKey	SCT3120ALGC11-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3120ALGC11
Description	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT3120ALGC11 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 3,33mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +22V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 460 pF @ 500 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 103W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-247N
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 6,7A, 18V	Numéro de produit de base SCT3120

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 8.30000	Fr. 8.30
30	Fr. 4.90767	Fr. 147.23
120	Fr. 4.16367	Fr. 499.64
510	Fr. 3.61861	Fr. 1’845.49
1’020	Fr. 3.56392	Fr. 3’635.20

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.