Name: SCT3120AW7TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT3120AW7TLTR-ND
Price: 11.39374 CHF
Availability: InStock

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SCT3120AW7TL
Numéro de produit DigiKey	846-SCT3120AW7TLTR-ND - Bande et bobine 846-SCT3120AW7TLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-SCT3120AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3120AW7TL
Description	SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 21 A (Tc) 100W Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 18 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) +22V, -4V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 460 pF @ 500 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 100W
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur TO-263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 6,7A, 18V	Numéro de produit de base SCT3120
Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 3,33mA

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Quantité

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Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1’000	Fr. 5.56983	Fr. 5’569.83

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 10.54000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 11.39374

SCT3120AW7TL