
SH8M51GZETB | |
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Numéro de produit DigiKey | SH8M51GZETBTR-ND - Bande et bobine SH8M51GZETBCT-ND - Bande coupée (CT) SH8M51GZETBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SH8M51GZETB |
Description | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 3 A (Ta), 2,5 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA |
Fabricant Rohm Semiconductor | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,5nC à 5V, 12,5nC à 5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 610pF à 25V, 1550pF à 25V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Puissance - Max. 1,4W (Ta) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Ta), 2,5 A (Ta) | Boîtier fournisseur 8-SOP |
Rds On (max.) à Id, Vgs 170mohms à 3A, 10V, 290mohms à 2,5A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SP8M51HZGTB | Rohm Semiconductor | 116 | 846-SP8M51HZGTBCT-ND | Fr. 1.99000 | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.86000 | Fr. 1.86 |
| 10 | Fr. 1.19300 | Fr. 11.93 |
| 100 | Fr. 0.81050 | Fr. 81.05 |
| 500 | Fr. 0.64694 | Fr. 323.47 |
| 1’000 | Fr. 0.59432 | Fr. 594.32 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.53740 | Fr. 1’343.50 |
| 5’000 | Fr. 0.50223 | Fr. 2’511.15 |
| 7’500 | Fr. 0.48432 | Fr. 3’632.40 |
| 12’500 | Fr. 0.47616 | Fr. 5’952.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.86000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.01066 |



