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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montage sur châssis
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GCMX008B120B3H1P

Numéro de produit DigiKey
1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GCMX008B120B3H1P
Description
GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
6 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
12mohms à 100A, 18V
Fabricant
SemiQ
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 120mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
493nC à 18V
Conditionnement
Boîte
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14400pF à 800V
Statut du composant
Actif
Puissance - Max.
500W (Tc)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Type de montage
Montage sur châssis
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier
Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
120 A (Tc)
Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
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Tous les prix sont en CHF
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 69.85000Fr. 69.85
10Fr. 54.41900Fr. 544.19
100Fr. 52.08590Fr. 5’208.59
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 69.85000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 75.50785