
GCMX008B120B3H1P | |
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Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX008B120B3H1P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX008B120B3H1P |
Description | GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 6 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 100A, 18V |
Fabricant SemiQ | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 120mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 493nC à 18V |
Conditionnement Boîte | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14400pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 500W (Tc) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 4 canaux N (pont complet) | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier Module |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc) |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 69.85000 | Fr. 69.85 |
| 10 | Fr. 54.41900 | Fr. 544.19 |
| 100 | Fr. 52.08590 | Fr. 5’208.59 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 69.85000 |
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| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 75.50785 |




