Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 5.16718 CHF
Availability: InStock

Canal N 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Trou traversant TO-247-4

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GP3T080A120H
Numéro de produit DigiKey	1560-GP3T080A120H-ND
Fabricant	SemiQ
Numéro de produit du fabricant	GP3T080A120H
Description	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 10A, 18V
Fabricant SemiQ	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 5mA
Série QSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +22V, -8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1351 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 147W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-247-4
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-247-4

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.78000	Fr. 4.78
10	Fr. 3.19400	Fr. 31.94
100	Fr. 2.29500	Fr. 229.50
500	Fr. 1.91186	Fr. 955.93
1’000	Fr. 1.78883	Fr. 1’788.83
2’000	Fr. 1.71380	Fr. 3’427.60

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.