
SISF06DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISF06DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISF06DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISF06DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISF06DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 28A (Ta), 101A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8SCD |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISF06DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 à canal N (double), drain commun | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 28A (Ta), 101A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,5mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 45nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2050pF à 15V | |
Puissance - Max. | 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 1212-8SCD | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 1212-8SCD | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.38000 | Fr. 1.38 |
| 10 | Fr. 0.87300 | Fr. 8.73 |
| 100 | Fr. 0.58480 | Fr. 58.48 |
| 500 | Fr. 0.46130 | Fr. 230.65 |
| 1’000 | Fr. 0.42157 | Fr. 421.57 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.34080 | Fr. 1’022.40 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.38000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.49178 |

