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S3M0030120K

Numéro de produit DigiKey
1655-S3M0030120K-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
S3M0030120K
Description
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 74 A (Tc) 130W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 16mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
143 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+18V, -4V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2844 pF @ 1000 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
130W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
39mohms à 40A, 18V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 180
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Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 9.48000Fr. 9.48
30Fr. 5.67000Fr. 170.10
120Fr. 4.83475Fr. 580.17
510Fr. 4.24263Fr. 2’163.74
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 9.48000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 10.24788