
S3M0030120N | |
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Numéro de produit DigiKey | 1655-S3M0030120N-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S3M0030120N |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 74 A (Tc) 483W (Tc) Montage sur châssis SOT-227 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 39mohms à 40A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 16mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 143 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +18V, -4V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2844 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 483W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier fournisseur | SOT-227 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 25.50000 | Fr. 25.50 |
| 36 | Fr. 16.44806 | Fr. 592.13 |
| 108 | Fr. 16.42343 | Fr. 1’773.73 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 25.50000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 27.56550 |

